文档 |
Multiple Devices 13/Aug/2010 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 400 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 40V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 80A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 3.1 mOhm @ 80A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 235nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 12200pF @ 25V |
功率 - 最大 | 254W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220 |
包装材料 | Tube |
FDP8442_F085也可以通过以下分类找到
FDP8442_F085相关搜索